FF600R12IE4VBOSA1

Главная страница Продуктовый центр Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы БТИЗ БТИЗ-модули

FF600R12IE4VBOSA1

Номер запчасти

FF600R12IE4VBOSA1

Классификация продуктов

БТИЗ-модули

Производитель

Cambridge GaN Devices

Описание

PP, IHM I, XHP 1,7KV

Пакет

Bulk

Упаковка

Количество

1657

Состояние RoHS

PDF：

Запрос цены

Запасы

Количество

Отправить запрос

Количество

Цены

Общая стоимость

Получение информации о предложениях

Параметры продукции

Тип монтажа

Chassis Mount

Пакет/кейс

Module

Рабочая Температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

1200 V

Вход

Standard

НТЦ-термистор

Yes

Тип БТИЗ

Trench Field Stop

Конфигурация

Half Bridge Inverter

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

600 A

Ток-отсечка коллектора (макс.)

5 mA

Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 600A

Мощность - Макс.

3.35 kW

Входная емкость (Cies) при Vce

37000 pF @ 25 V

Новейшие продукты

Cambridge GaN Devices

IRGTI090U06

IGBT MOD 600V 90A 298W INT-A-PAK

Узнать больше

Akoustis

CPV362M4F

IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2

Узнать больше

Delevan

MII100-12A3

IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5

Узнать больше

Akoustis

CPV362M4K

IGBT MODULE 600V 5.7A 23W IMS-2

Узнать больше

Akoustis

CPV362M4U

IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2

Узнать больше

Akoustis

CPV363M4F

IGBT MODULE 600V 16A 36W IMS-2

Узнать больше

Akoustis

CPV363M4K

IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2

Узнать больше

Akoustis

CPV363M4U

IGBT MODULE 600V 13A 36W IMS-2

Узнать больше

contact@fastechnic.ru

Fastechnic ЛИМИТЕД

Адрес:Мастериала 60, 3/F, блок А, промышленный центр Восточного Солнца №16 Шинг Ип Стрит Коулун Гонконг

Контактный номер: Почтовый ящик：contact@fastechnic.ru

Сканировать QR-код для мобильных