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分立半导体产品
晶体管
IGBT
IGBT模块
FZ1500R33HE3C1NPSA1
零件编号:
FZ1500R33HE3C1NPSA1
产品分类:
IGBT模块
制造商:
Cambridge GaN Devices
描述:
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
封装:
包装:
数量:
1600
RoHS 状态:
NO
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产品参数
安装类型
Chassis Mount
包装/箱
Module
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
配置
Full Bridge
输入
Standard
IGBT类型
Trench Field Stop
NTC热敏电阻
No
电流 - 集电极截止(最大)
5 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
3300 V
输入电容 (Cies) @ Vce
280 nF @ 25 V
供应商设备包
AG-IHVB190-3
集电极电流 (Ic)(最大)
1500 A
功率 - 最大
2400000 W
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic
3.1V @ 15V, 1.5kA
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