• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2N7002EY
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2N7002EY
2N7002EY
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$0.1568

$0.1568

10

$0.1120

$1.1200

100

$0.0560

$5.6000

500

$0.0448

$22.4000

1000

$0.0336

$33.6000

3000

$0.0224

$67.2000

6000

$0.0224

$134.4000

9000

$0.0224

$201.6000

30000

$0.0224

$672.0000

75000

$0.0224

$1,680.0000

150000

$0.0112

$1,680.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2N7002EY
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2N7002EY
2N7002EY
2N7002EY
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
-
Лента и катушка (TR)
17624
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAnbon Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C340mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs5Ohm @ 300mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)350mW (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-23
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.4 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds18 pF @ 30 V
captcha
0
1.040657s