• image of Биполярные радиочастотные транзисторы>2SC2839E-SPA-AC
  • image of Биполярные радиочастотные транзисторы>2SC2839E-SPA-AC
2SC2839E-SPA-AC
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
-
Масса
6662
:
:

6662

$0.0560

$373.0720

image of Биполярные радиочастотные транзисторы>2SC2839E-SPA-AC
image of Биполярные радиочастотные транзисторы>2SC2839E-SPA-AC
2SC2839E-SPA-AC
2SC2839E-SPA-AC
Биполярные радиочастотные транзисторы
Sanyo Semiconductor/onsemi
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
-
Масса
11700
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс3-SIP
Тип монтажаThrough Hole
Тип транзистораNPN
Прирост25dB
Мощность - Макс.150mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)30mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)20V
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce60 @ 1mA, 6V
Частота – переход320MHz
Коэффициент шума (дБ, тип @ f)3dB @ 100MHz
Пакет устройств поставщика3-SPA
captcha
0
1.935849s