• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2SJ529L06-E
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2SJ529L06-E
2SJ529L06-E
2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF
-
Масса
295
:
:

295

$1.1424

$337.0080

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2SJ529L06-E
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2SJ529L06-E
2SJ529L06-E
2SJ529L06-E
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Renesas
2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF
-
Масса
60244
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительRenesas
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсTO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура150°C
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораP-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C10A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs160mOhm @ 5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)20W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2V @ 1mA
Пакет устройств поставщикаDPAK(L)-(2)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds580 pF @ 10 V
captcha
0
1.059186s