• image of Биполярные транзисторные матрицы>BC817RA147
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>BC817RA147
BC817RA147
BC817RA - SMALL SIGNAL BIPOLAR T
-
Масса
7036
:
:

7036

$0.0448

$315.2128

image of Биполярные транзисторные матрицы>BC817RA147
image of Биполярные транзисторные матрицы>BC817RA147
BC817RA147
BC817RA147
Биполярные транзисторные матрицы
NXP Semiconductors
BC817RA - SMALL SIGNAL BIPOLAR T
-
Масса
10000
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNXP Semiconductors
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-XFDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора2 NPN
Рабочая Температура150°C (TJ)
Мощность - Макс.500mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)500mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)45V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)100nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
Частота – переход100MHz
Пакет устройств поставщикаDFN1412-6
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha
0
1.695264s