• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H4M5LPSW
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H4M5LPSW
DMTH10H4M5LPSW
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
-
Лента и катушка (TR)
2500
:
:

1

$2.1840

$2.1840

10

$1.8144

$18.1440

100

$1.4448

$144.4800

500

$1.2208

$610.4000

1000

$1.0304

$1,030.4000

2500

$0.9184

$2,296.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H4M5LPSW
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H4M5LPSW
DMTH10H4M5LPSW
DMTH10H4M5LPSW
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
-
Лента и катушка (TR)
2500
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C20A (Ta), 107A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerDI5060-8 (Type UX)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs80 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds4843 pF @ 50 V
captcha
0
1.246153s