1
$3.8976
$3.8976
10
$3.2704
$32.7040
100
$2.6432
$264.3200
500
$2.3520
$1,176.0000
1000
$2.0160
$2,016.0000
2500
$1.8928
$4,732.0000
5000
$1.8256
$9,128.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | Die |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 29A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 16A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 5.5mA |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | +6V, -4V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 8.3 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1180 pF @ 50 V |
