• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G12P10KE
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G12P10KE
G12P10KE
P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10
-
Лента и катушка (TR)
2500
:
:

1

$0.6832

$0.6832

10

$0.5824

$5.8240

100

$0.4032

$40.3200

500

$0.3136

$156.8000

1000

$0.2576

$257.6000

2500

$0.2240

$560.0000

5000

$0.2128

$1,064.0000

12500

$0.2016

$2,520.0000

25000

$0.2016

$5,040.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G12P10KE
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G12P10KE
G12P10KE
G12P10KE
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10
-
Лента и катушка (TR)
1324
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораP-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs200mOhm @ 6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)57W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-252
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs33 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1720 pF @ 50 V
captcha
0
4.397891s