• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G160N04K
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G160N04K
G160N04K
N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
-
Лента и катушка (TR)
2500
:
:

1

$0.5488

$0.5488

10

$0.4704

$4.7040

100

$0.3248

$32.4800

500

$0.2576

$128.8000

1000

$0.2016

$201.6000

2500

$0.1792

$448.0000

5000

$0.1792

$896.0000

12500

$0.1568

$1,960.0000

25000

$0.1568

$3,920.0000

62500

$0.1568

$9,800.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G160N04K
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G160N04K
G160N04K
G160N04K
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
-
Лента и катушка (TR)
4821
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C25A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs15mOhm @ 8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)43W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-252
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs20 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1010 pF @ 20 V
captcha
0
1.159962s