• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G35N02K
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G35N02K
G35N02K
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
-
Лента и катушка (TR)
2500
:
:

1

$0.4816

$0.4816

10

$0.4144

$4.1440

100

$0.2912

$29.1200

500

$0.2240

$112.0000

1000

$0.1792

$179.2000

2500

$0.1680

$420.0000

5000

$0.1568

$784.0000

12500

$0.1456

$1,820.0000

25000

$0.1456

$3,640.0000

62500

$0.1344

$8,400.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G35N02K
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G35N02K
G35N02K
G35N02K
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
-
Лента и катушка (TR)
217
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs13mOhm @ 20A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс.)40W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id1.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-252
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)2.5V, 4.5V
ВГС (Макс)±12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)20 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs24 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1380 pF @ 10 V
captcha
0
1.335169s