• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R40MT12D
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R40MT12D
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R40MT12D
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R40MT12D
:
:

1

$19.5104

$19.5104

10

$17.8080

$178.0800

25

$17.1696

$429.2400

100

$16.2624

$1,626.2400

250

$15.6800

$3,920.0000

500

$15.2544

$7,627.2000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R40MT12D
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R40MT12D
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G3R40MT12D
G3R40MT12D
G3R40MT12D
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
-
Трубка
1732
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
РядG3R™
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииSiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C71A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs48mOhm @ 35A, 15V
Рассеиваемая мощность (макс.)333W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.69V @ 10mA
Пакет устройств поставщикаTO-247-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)15V
ВГС (Макс)±15V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs106 nC @ 15 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2929 pF @ 800 V
captcha
0
1.447848s