1
$12.0624
$12.0624
10
$10.8752
$108.7520
25
$10.4272
$260.6800
100
$9.8000
$980.0000
250
$9.3968
$2,349.2000
500
$9.1168
$4,558.4000
1000
$8.8368
$8,836.8000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Ряд | G3R™ |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-247-4 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 41A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 207W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.69V @ 7.5mA |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-4 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 15V |
| ВГС (Макс) | +22V, -10V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 54 nC @ 15 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1560 pF @ 800 V |
