• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G60N04K
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G60N04K
G60N04K
N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
-
Лента и катушка (TR)
2500
:
:

1

$0.8064

$0.8064

10

$0.6944

$6.9440

100

$0.4816

$48.1600

500

$0.4032

$201.6000

1000

$0.3472

$347.2000

2500

$0.3024

$756.0000

5000

$0.2912

$1,456.0000

12500

$0.2688

$3,360.0000

25000

$0.2688

$6,720.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G60N04K
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G60N04K
G60N04K
G60N04K
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
-
Лента и катушка (TR)
2432
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs7mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)65W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-252 (DPAK)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs29 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1800 pF @ 20 V
captcha
0
1.250344s