1
$0.4480
$0.4480
10
$0.3808
$3.8080
100
$0.2688
$26.8800
500
$0.2016
$100.8000
1000
$0.1680
$168.0000
2000
$0.1456
$291.2000
4000
$0.1456
$582.4000
8000
$0.1456
$1,164.8000
12000
$0.1344
$1,612.8000
28000
$0.1344
$3,763.2000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | TrenchFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 9A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 3A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.7W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 24.5 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1253 pF @ 15 V |
