• image of Биполярные транзисторные матрицы>HN1B04FE-GR,LXHF
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>HN1B04FE-GR,LXHF
HN1B04FE-GR,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
-
Лента и катушка (TR)
4000
:
:

1

$0.4928

$0.4928

10

$0.4256

$4.2560

100

$0.2912

$29.1200

500

$0.2352

$117.6000

1000

$0.1904

$190.4000

2000

$0.1680

$336.0000

4000

$0.1680

$672.0000

8000

$0.1568

$1,254.4000

12000

$0.1456

$1,747.2000

28000

$0.1456

$4,076.8000

image of Биполярные транзисторные матрицы>HN1B04FE-GR,LXHF
image of Биполярные транзисторные матрицы>HN1B04FE-GR,LXHF
HN1B04FE-GR,LXHF
HN1B04FE-GR,LXHF
Биполярные транзисторные матрицы
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
-
Лента и катушка (TR)
2353
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSOT-563, SOT-666
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP
Рабочая Температура150°C (TJ)
Мощность - Макс.100mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)150mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)100nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
Частота – переход80MHz
Пакет устройств поставщикаES6
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha
0
1.588701s