• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE30N60W
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE30N60W
:
:

30

$8.7808

$263.4240

150

$8.2320

$1,234.8000

600

$7.5264

$4,515.8400

2100

$6.9328

$14,558.8800

6000

$6.4288

$38,572.8000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE30N60W
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE30N60W
ICE30N60W
ICE30N60W
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction MOSFET
-
Трубка
90
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C30A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs68mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)171W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-247
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs189 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds6090 pF @ 25 V
captcha
0
2.598107s