• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFAC30
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFAC30
:
:

59

$5.7120

$337.0080

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFAC30
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFAC30
IRFAC30
IRFAC30
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
International Rectifier
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
-
Масса
467
Продукты параметры
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительInternational Rectifier
РядHEXFET®
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-204AA, TO-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C3.6A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)75W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-204AA (TO-3)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs38 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds630 pF @ 25 V
captcha
0
1.534272s