• image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>PDTA114EQB-QZ
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>PDTA114EQB-QZ
PDTA114EQB-QZ
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
-
Лента и катушка (TR)
5000
:
:

1

$0.3136

$0.3136

10

$0.2128

$2.1280

100

$0.1008

$10.0800

500

$0.0896

$44.8000

1000

$0.0560

$56.0000

2000

$0.0560

$112.0000

5000

$0.0448

$224.0000

10000

$0.0448

$448.0000

25000

$0.0448

$1,120.0000

50000

$0.0336

$1,680.0000

125000

$0.0336

$4,200.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>PDTA114EQB-QZ
image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>PDTA114EQB-QZ
PDTA114EQB-QZ
PDTA114EQB-QZ
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Nexperia
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
-
Лента и катушка (TR)
5000
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNexperia
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс3-XDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Тип транзистораPNP - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic100mV @ 500µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)100nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Пакет устройств поставщикаDFN1110D-3
ОценкаAutomotive
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Мощность - Макс.340 mW
Частота – переход180 MHz
Резистор — база (R1)10 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)10 kOhms
КвалификацияAEC-Q101
captcha
0
2.103135s