• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>PSMN8R7-80PS,127
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>PSMN8R7-80PS,127
:
:

313

$1.0752

$336.5376

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>PSMN8R7-80PS,127
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>PSMN8R7-80PS,127
PSMN8R7-80PS,127
PSMN8R7-80PS,127
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
NXP Semiconductors
NEXPERIA PSMN8R7 - N-CHANNEL 80
-
Масса
6806
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNXP Semiconductors
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C90A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs8.7mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)170W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 1mA
Пакет устройств поставщикаTO-220AB
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)80 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs52 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3346 pF @ 40 V
captcha
0
1.237389s