• image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>RN2118MFV(TPL3)
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>RN2118MFV(TPL3)
:
:

1

$0.3024

$0.3024

10

$0.2128

$2.1280

100

$0.1008

$10.0800

500

$0.0896

$44.8000

1000

$0.0560

$56.0000

2000

$0.0560

$112.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>RN2118MFV(TPL3)
image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>RN2118MFV(TPL3)
RN2118MFV(TPL3)
RN2118MFV(TPL3)
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
-
Разрезанная лента (CT)
3000
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаРазрезанная лента (CT)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSOT-723
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораPNP - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Пакет устройств поставщикаVESM
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Мощность - Макс.150 mW
Резистор — база (R1)47 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)10 kOhms
captcha
0
1.996036s