• image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>RN2427TE85LF
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>RN2427TE85LF
:
:

1

$0.5040

$0.5040

10

$0.3584

$3.5840

100

$0.1792

$17.9200

500

$0.1568

$78.4000

1000

$0.1232

$123.2000

3000

$0.1120

$336.0000

6000

$0.1120

$672.0000

9000

$0.1008

$907.2000

30000

$0.0896

$2,688.0000

75000

$0.0784

$5,880.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>RN2427TE85LF
image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>RN2427TE85LF
RN2427TE85LF
RN2427TE85LF
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
-
Лента и катушка (TR)
7830
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораPNP - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 50mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce90 @ 100mA, 1V
Пакет устройств поставщикаS-Mini
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)800 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Мощность - Макс.200 mW
Частота – переход200 MHz
Резистор — база (R1)2.2 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)10 kOhms
captcha
0
1.138896s