• image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN4990(TE85L,F)
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN4990(TE85L,F)
:
:

1

$0.3696

$0.3696

10

$0.2576

$2.5760

100

$0.1344

$13.4400

500

$0.1008

$50.4000

1000

$0.0784

$78.4000

3000

$0.0672

$201.6000

6000

$0.0672

$403.2000

9000

$0.0560

$504.0000

30000

$0.0560

$1,680.0000

75000

$0.0448

$3,360.0000

150000

$0.0448

$6,720.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN4990(TE85L,F)
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN4990(TE85L,F)
RN4990(TE85L,F)
RN4990(TE85L,F)
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
NPN + PNP BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BE
-
Лента и катушка (TR)
90
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.200mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)100nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 5V
Частота – переход250MHz, 200MHz
Резистор — база (R1)4.7kOhms
Пакет устройств поставщикаUS6
captcha
0
1.332538s