• image of Одиночные IGBT>SIGC11T60SNCX1SA2
  • image of Одиночные IGBT>SIGC11T60SNCX1SA2
SIGC11T60SNCX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
-
Масса
1
image of Одиночные IGBT>SIGC11T60SNCX1SA2
image of Одиночные IGBT>SIGC11T60SNCX1SA2
SIGC11T60SNCX1SA2
SIGC11T60SNCX1SA2
Одиночные IGBT
IR (Infineon Technologies)
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
-
Масса
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсDie
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип вводаStandard
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 10A
Пакет устройств поставщикаDie
Тип БТИЗNPT
Td (вкл/выкл) при 25°C28ns/198ns
Условия испытания400V, 10A, 25Ohm, 15V
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)10 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)600 V
Ток-коллекторный импульсный (Icm)30 A
captcha
0
2.901111s