• image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$1.3664

$1.3664

10

$1.1200

$11.2000

100

$0.8624

$86.2400

500

$0.7392

$369.6000

1000

$0.5936

$593.6000

6000

$0.5376

$3,225.6000

9000

$0.5152

$4,636.8000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
-
Лента и катушка (TR)
2826
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET® Gen IV
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerWDFN
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-PowerPair® (6x5)
captcha
0
2.988910s