• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>STB15NM60N
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>STB15NM60N
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>STB15NM60N
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>STB15NM60N
STB15NM60N
MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
-
Лента и катушка (TR)
1000
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>STB15NM60N
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>STB15NM60N
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>STB15NM60N
STB15NM60N
STB15NM60N
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSTMicroelectronics
РядMDmesh™ II
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C14A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs299mOhm @ 7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)125W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаD2PAK
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±25V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs37 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1250 pF @ 50 V
captcha
0
1.105150s