• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44100SG
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44100SG
TP44100SG
GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$6.1600

$6.1600

10

$5.3200

$53.2000

100

$4.6256

$462.5600

500

$3.6960

$1,848.0000

3000

$3.6960

$11,088.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44100SG
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44100SG
TP44100SG
TP44100SG
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Tagore Technology
GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
-
Лента и катушка (TR)
2969
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTagore Technology
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс22-PowerVFQFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C19A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs118mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 11mA
Пакет устройств поставщика22-QFN (5x7)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)0V, 6V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs3 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds110 pF @ 400 V
captcha
0
2.392787s