• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070LSG-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070LSG-TR
TP65H070LSG-TR
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
-
Лента и катушка (TR)
500
:
:

1

$9.9344

$9.9344

10

$8.7584

$87.5840

100

$8.3328

$833.2800

500

$8.3328

$4,166.4000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070LSG-TR
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070LSG-TR
TP65H070LSG-TR
TP65H070LSG-TR
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
-
Лента и катушка (TR)
12335
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
РядTP65H070L
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс3-PowerDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C25A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)96W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 700µA
Пакет устройств поставщика3-PQFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds600 pF @ 400 V
captcha
0
1.305270s