• image of Одиночные диоды>WNSC2D12650TJ
  • image of Одиночные диоды>WNSC2D12650TJ
WNSC2D12650TJ
DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
-
Лента и катушка (TR)
3000
:
:

1

$3.8080

$3.8080

10

$3.1920

$31.9200

100

$2.5872

$258.7200

500

$2.2960

$1,148.0000

1000

$1.9712

$1,971.2000

3000

$1.8480

$5,544.0000

6000

$1.7808

$10,684.8000

image of Одиночные диоды>WNSC2D12650TJ
image of Одиночные диоды>WNSC2D12650TJ
WNSC2D12650TJ
WNSC2D12650TJ
Одиночные диоды
WeEn Semiconductors Co., Ltd
DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
-
Лента и катушка (TR)
2985
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительWeEn Semiconductors Co., Ltd
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-VSFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)0 ns
ТехнологииSiC (Silicon Carbide) Schottky
Емкость @ Вр, Ф380pF @ 1V, 1MHz
Ток – средний выпрямленный (Io)12A
Пакет устройств поставщика5-DFN (8x8)
Рабочая температура - соединение175°C
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)650 V
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If1.7 V @ 12 A
Ток – обратная утечка @ Vr60 µA @ 650 V
captcha
0
2.296406s