• image of 记忆>GD25WD40EEIGR
  • image of 记忆>GD25WD40EEIGR
GD25WD40EEIGR
IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8USON
-
卷带式 (TR)
3000
:
:

3000

$0.3248

$974.4000

6000

$0.3024

$1,814.4000

15000

$0.2912

$4,368.0000

30000

$0.2800

$8,400.0000

image of 记忆>GD25WD40EEIGR
image of 记忆>GD25WD40EEIGR
GD25WD40EEIGR
GD25WD40EEIGR
记忆
GigaDevice
IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8USON
-
卷带式 (TR)
0
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商GigaDevice
系列GD25WD
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-XFDFN Exposed Pad
安装类型Surface Mount
内存大小4Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源1.65V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率104 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-USON (3x2)
写入周期时间 - 字、页100µs, 6ms
内存接口SPI - Dual I/O
存取时间6 ns
记忆组织512K x 8
captcha
0
1.647749s